梁春广，出生于1939年2月1日，广东省梅县城南圣人寨村。在山村的普兴小学念完小学后，进入县城就读联合中学，后考入梅县高级中学。1957年考入广东中山大学物理系学习，选学半导体专门化。1961年大学毕业，进入北京东郊电子城内的电子工业部第十三研究所工作至今，后研究所搬迁至现址——河北省石家庄市。
        刚参加工作的1961～1965年，他主要研制锗高频晶体管，为通信机等应用。1966—1969年研制硅高频场效应晶体管，作为低噪声放大和开关、斩波等获得广泛应用。从1967年开始，他关注到当时在世界上兴起研究并有很好的微波性能的砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)。因此，从1970年起，他和他领导的课题组长期致力于GaAs FET和GaAs IC的研制。他们的项目研究成果获得过4次电子部科技成果一等奖，4次二等奖，使我国在(2,aAs FET和GaAs IC以及放大器等应用电子电路达到世界先进水平，大量应用于国家各类重点工程，获得了较大的经济效益和社会效益。1985年，国家开始设立科技大奖，梁春广负责的“砷化镓场效应晶体管系yO’’获得了国家科技进步一等奖，光荣地出席了人民大会堂的颁奖大会。
        1986～1987年作为客座研究员，在德国柏林赫芝通信研究所主要研制光通信用单片光接收机(OEIC)，即把光电子器件(MSM)和电子器件超晶格场效应器件(}tFET)集成在一起。当时采用了最先进的分子束外延(MBE)结构材料，用干法刻蚀法(RIE)等先进设备制出了MSM光探测二极管和场效应器件以及OEIC原型器件。
        1988年回国后，开始走上所级科技领导岗位，任副总工程师、科技委主任，1990年起任副所长，主要领导和组织研究所的战略规划和科技发展。另外，他还兼任国家GaAs Ic重点实验室学术委员会主任，北京大学国家微米／纳米重点实验室学术委员会主任，清华大学、吉林大学、河北工业大学等兼职教授和博士生导师，在半导体领域的前沿学科培养人才。
        最近十多年来，他担任了国家各部委的有关专家组工作。作为国家计委国家科技攻关“八五”、“九五”"GaAs Ic”项目总负责人，组织了电子部13所、55所，中科院半导体所、物理所、冶金所，清华大学，北京大学，上海交大等全国优势单位协同攻关，发展了关键的(；aAs新型器件和电路，为光通信、移动通信、卫星通信、雷达等应用和发展做出了贡献。他作为国家科技攻关“八五”、“九五”“新型电力电子器件及其应用装置”项目总负责人，在项目实施后使我国在此领域实现更新换代，通信开关电源、节能灯、高频感应加热电源研究等都取得了明显的进展，推动了科技进步和高技术改造传统产业。他在国家自然科学基金委任半导体学科评审组第三、四届成员及第五届副组长，光电子学科第七、八届成员。此间，他作为编写组组长，著有《半导体科学与技术》发展战略研究一书。他任“微电子专业专家组”、“微米／纳米专业专家组”成员和顾问，在任电子科学研究院微电子专家组组长期间，主编了《跨世纪中国军事微电子》一书。特别是梁春广在国家科委"863’’高技术发展计划光电子主题专家组工作了10年。任第二、三届专家组成员，第四届组长，对促进我国的光电子技术发展和产业化做出成绩。2001年荣获“国家863计划重要贡献奖”。
        梁春广1991年起享受国务院政府特殊津贴，1992年评为国家有突出贡献中青年专家，1993年荣获光华基金一等奖，1995年当选中国工程院院士，1997年获电子工业部电子杰出人才(荣誉)奖，2002年获河北省院士特殊贡献奖。
        最近几年，梁春广主要致力于两项工作。一项是极力推动“超高亮度发光二极管”和“半导体照明灯”在中国的发展。半导体灯必将取代电灯泡和荧光灯，为此，他撰写了不少相关文章。另一个项目就是“纳米半导体科学技术”，这是新世纪最具吸引力的科技事业，是推动下一轮技术革命的突破口和制高点。因此，他作为社长和总编辑，2002年创刊了《微纳电子技术》杂志，为促进我国纳米电子技术发展构造一个学术论坛，另外，他和研究所微米纳米研究中心的同事们以及他的学生们正在这一领域努力开拓。