王启明，光电子学家，1934．年7月3日生于福建省泉州市，1946～1952年先后就读于石狮市石光中学和泉州市一中；1952年入上海复旦大学物理系学习，1956年毕业后人中国科学院物理研究所工作，1960年参与组建中国科学院半导体研究所。1962年任助理研究员，1978年任副研究员，1986年晋升研究员兼博士生导师，1991年被遴选为中国科学院院士。1973～1978年曾任中国科学院半导体研究所激光研究室副主任，1978～1983年任光电子研究室主任，1983～1985年任半导体研究所副所长，1985～1995年任研究所所长。现任中国科学院半导体所研究员、博士生导师、所学术委员会主任；同时担任国家自然科学奖评奖委员会委员，中国科学院自然科学奖评奖委员会委员，国家自然科学基金委国家杰出青年科学基金评审委员会委员和基金委信息科学部光学和光电子学(I)学科评审组组长，中国电子学会、光学学会理事，半导体与集成技术学会委员兼信息光电子学专委会主任等职。此外，他还是《中国科学》、《自然科学进展》、《中国科学院院刊》、《半导体学报》、《光学学报》等以及国际《高速电子学与系统》杂志编委并为东南大学、浙江大学、华南师范大学、厦门大学、北方交通大学和国立华侨大学兼职教授和名誉教授。
        他曾任国家高技术发展计划(863计划)信息领域专家委员会委员，两届光电子主题专 家组成员和集成光电子国家重点联合实验室学术委员会主任。
        王启明长期从事半导体与光电子领域的研究与开拓，即使他在12年的副所长和所长任期中也未曾中断他的科研工作。他早期工作于半导体材料与物理参数测试方法的研究，1958年他最早在国内采用区熔提纯方法获得纯度达9个“9”的半导体Ge单晶材料，并参加全国半导体培训班的授课。1960年他参加组建国家半导体测试基地的任务，国内最早建立了液氦4～300K霍耳系数变温测试系统，发展了交流磁场霍耳系数测试法和交流光磁电效应测试法，领导建立了测试非平衡载流子复合寿命的光电导相移法，提出了相移寿命的概念和理论。为我国半导体中复合参数的测试研究做出了贡献。1965～1966年他开始从事半导体激光与光电子领域的研究，首先建立了GaAs材料光荧光和电注入荧光谱的测试方法，并研究了本征荧光峰与杂质荧光峰的特性，探讨了由此研制的激光器特性与材料参数的内在物理联系。
        1966年后他开始全面投入半导体光电子学领域的研究，主持重掺杂GaAs薄膜材料的 汽相外延生长，1969年转入参与和随后主持si雪崩光电二极管的研究，最早在国内研制出 保护环结构平面型Si雪崩倍增光电探测器。
        1973年室温连续波工作的GaAs双异质结构半导体激光器在美国贝尔实验室获有突破性进展，鉴于它对未来光通信和光计算应用领域有巨大在发展潜力，中国科学院对此作为院重大项目作了紧急布署，在半导体所内抽调组织了近二十人的科研队伍，立即加强开展GaAs室温连续激光器的研究，王启明受命调任该课题组组长。他在接受这一难度极大的任务之后，提出和采取了一系列有力措施。激光器有源工作区，仅有不到0．1微米厚度，利用降温过饱和生长，对温场的精密控制有极高的要求，他率领课题组人员与航天部有关研究所合作，采用钠管技术和精确的程控研制成功我国第一台高精度程控降温外延炉，为薄层材料的优质生长奠定了关键基础。同时他还博取诸家之长，组织课题的同事提出改进设计第一台全密封金属化外延生长系统，从根本上保证了高质量外延材料的生长。窄条结构是保证激光器低电流下运行，实现室温连续工作的关键之一；他首先提出用注氧离子技术实现高热稳度的条形隔离，以及真空铟键合技术降低接触热阻。由于他抓住了关键技术，从根本上解决问题，经过全组同事三年的埋头拼博，终于1978年首次在国内实现了半导体激光器的室温连续波激射，并在1980年使运行工作寿命达到万小时以上，为我国光纤通信事业的发展做出奠基性的贡献。1985年获国家科技进步一等奖，他是第一受奖人。
        王启明在科研工作中着力坚持“任务带学科，学科促任务”的方针，以他具有的严谨的科学态度和实事求是的精神对所研制的激光器表现出的异常特性开展了深入细致的研究，发现了有开关记忆功能的异质结界面态电荷存储效应，自掺杂引起的双向负阻特性以及双光丝引起的调Q反常自脉动光输出特性并对上述反常特性的利用指出了研究方向。
        在对调Q自脉动的深入研究基础上，他提出了共腔双区激光器的研究课题，于1985年首次研究成功1．3tma波长In(~aAsr，内调Q光双稳态激光器，他和他的合作者指导他的研究生对此系统深入地开展了广泛的研究，获有许多创新发现。例如，观察到双稳态激光器的自调准单稳频特性；提出了零增益锁定物理机制的解释，研究了光注入输出增强效应，发现了波长转换特性，瞬态的反常张弛振荡和光学混沌特性，利用截取技术获得10ps窄光脉冲输出，指导他的学生提出利用“相关注入”的方法获得更窄光脉冲输出的技术新途径。他还指导研究生研制成功双区共腔激光器与量子阱电光调制器单片集成光源，与此同时他和他的同事合作指导研究生又在国内首先研制成功半导体量子阱激光器和自电光效应光双稳态开关，为数字光电子学的发展做出了开拓性的贡献。先后获中国科学院科技进步奖一等奖二次，二等次一次。自1986年始连续三次被授予国家级有突出贡献的中青年专家荣誉。他以第一作者的身份在国内外学术刊物上发表论文一百多篇，主持和参与编著了8部学术著作。多次出国参加国际学术会议，担任国际顾问委员会委员和节目委员会委员并在国内多次参与主持召开国际学术会议，被邀请参加多个国际学会组织。
        他指导培养博士研究生和硕士研究生近40人。
        目前他正主持国家基金委重大基金项目“半导体光子集成基础研究”并领导探索si基低维发光和si基材料非线性光学特性介观增强人工改性的基础研究，发展了一种共振腔增强的SiGe／Si量子阱长波长光电探测器。孜孜不倦地致力于si基集成微光电子学的新开拓。