谢希德，女，物理学家，1921年3月生于福建省泉州市，先后就读于北平的贝满女中，武昌的圣希理达女中和长沙的福湘女中。1946年毕业于内迁到福建长汀的国立厦门大学数理系。1946～1947任上海沪江大学数理系助教。1947年赴美国留学，先后在史密斯学院及麻省理工学院攻读学位，于1949年获硕士，1951年获得麻省理工学院的博士学位。1951～1952年在麻省理工学院作博士后研究，1952年5月去英国，1952年10月回到上海。在复旦大学任教，先后任固体物理教研室主任，半导体物理教研室主任，兼任中国科学院上海技术物理研究所副所长，复旦大学现代物理研究所所长。1978～1983年任复旦大学副校长，1983～1988年任复旦大学校长。1980年被选为中国科学院学部委员（院士），1981～1996年任中国科学院主席团成员。1978～1990年中国物理学会副理事长。1984～1988年任上海市科协主席。1984～1988年任上海市政协主席，现为全国政协常委。1988年被选为第三世界科学院院士，1991年被选为美国文理科学院外籍荣誉院士。
        谢希德是我国半导体物理学和表面物理学界的元老之一。她为我国开拓和发展这两个学科领域作出了贡献，在国际学术界也树立了很高的声誉。她和黄昆院士一起奠定了我国半导体学科发展基础。他们两人领导的五校联合半导体专门化在1956～1958年间培养了约80余名教师和学生，成为我国半导体事业中的一代骨干，其中多人已当选为中国科学院或中国工程院院士。自60年代到80年代，我国半导体教学、科研、生产的各领域中绝大多数的学术领导和业务骨干都是他们或他们的学生所培养的。她和黄昆教授合编的《半导体物理学》一书长期以来是这一学科中唯一的中国的教科书和经典著作，我国80年代后出版的半导体物理学教材大多以这本书为纲领和蓝本。1992年争取到第21届国际半导体物理会议在我国北京召开，她任会议主席。提高了我国半导体物理在国际上的声望和地位。
        谢希德也是我国表面物理学从无到有的开创者和奠基人。早在70年代她就关心表面钝化对半导体集成电路稳定性的影响，70年代末期大力创导清洁表面和界面的研究。表面物理在“六.五”期间，得到国家科委的支持，在“七.五”期间又被国家自然科学基金会列为重大科研项目。在她的倡导和支持下，成立了中国科学院表面物理国家重点实验室和复旦大学应用表面物理国家重点实验室这两个表面物理的研究中心，培养了一批学术骨干和带头人，使我国的表面物理研究在国际学术界占有较高的地位。她争取到第四届国际表面结构会议于1993年在我国上海召开，并分担了会议主席的任务。
        她和同事们在半导体表面结构与电子态的理论研究方面显示出了较高水平，在国际第一流的学术刊物上发表论文90余篇。其中，关于“半导体表面电子态理论和实验研究”、“镍硅化合物和硅界面理论研究”，“金属在半导体表面吸附及金属与半导体界面电子特性研究”“锗硅超晶格几何结构、生长及声子态的理论研究”等工作，获国家教委科学技术进步二等奖。由于这些工作，谢希德被邀请在《表面科学进展》（Progress in Surface Science）中撰写“金属在半导体表面吸附和金属/半导体界面的电子性质”和“硅/锗超晶格的振动性质”的综述。还应邀在《表面科学》（Surface science）上撰写了“中国表面物理的回顾与展望”。她还参与了“量子器件与异质结构电子性质的理论研究”和“多孔硅的发光特性和机理研究”，获国家教委科技进步二等奖。她的论文被国际刊物引用50余次。
        谢希德和黄昆合编了《半导体物理》，和方俊鑫合编了《固体物理》上下册和作为主要执笔者与蒋平、陆奋合编了《群论及其在物理中的应用》等专著。
        1987～1993年她担任国际纯粹与应用物理联合会半导体委员会的委员。1986年被选为美国物理学会的高级会员（Fellow）。先后接受美、日、英、加、香港等国和地区十二所院校的荣誉科学博士和荣誉工学博士。曾在多个国际学术会议的程序委员会和顾问委员会中任职。曾担任Surface Science的地区编委，法国杂志。Journal de microscopic et de spectroscopic Electroniques科学委员会委员，新加坡世界科学出版社的International Journal of Modern Physics B, Modern Physics Letters B,和Advances in Experimental Solid State Physics等几个国际刊物的顾问。现担任Applied Surface Science编委。《自然科学进展》和《中国物理快报》编委会顾问。